- Panoramica
- Descrizione del prodotto
- Foto dettagliate
- Parametri del prodotto
- Flusso del processo
- Certificazioni
- Imballaggio e spedizione
- I nostri vantaggi
Informazioni di Base.
Descrizione del Prodotto
Le pellicole sottili di niobato di litio sull'isolante sono una sorta di wafer di poi (piezoelettrico sull'isolante). La sua struttura a sequenza sovrapposta è realizzata in substrati di supportoche possono essere silicio, quarzo, silice fusa, zaffiro o wafer LN, l'interstrato è ossido termico Si02 che funziona come isolante e la pellicola di niobato di litio è lo strato funzionale sopra lo strato isolante.
I substrati progettati per poi /LNOI consentono la progettazione di filtri con fattore di qualità elevato, ampia larghezza di banda, sensibilità alle temperature molto basse e bassa perdita di inserimento con una semplice tecnologia di produzione dei dispositivi. Questi wafer sono sviluppati e utilizzati per modulatori ad alta velocità, dispositivi SAW ad alto fattore Q, rilevatori IR, dispositivi THz.
Lavoriamo con il nostro partner strategico che ha fatto esperienza nella tecnologia di Smart Cut e wafer Bonding e fornisce un importante strato piezoelettrico su LN/LT dalle dimensioni di 3" 4" 6" fino a 8" per costruire la speciale wafer con struttura multistrato.
Specifiche per LNOI
| Livelli | Parametri | Specifiche | |||
| Livello funzionale superiore | Materiale | Litio niobato Tantanlate | |||
| Diametro | 3" | 4" | 6" | 8" | |
| Orientamento della superficie | Taglio X o su richiesta | ||||
| Oritentazione primaria piatta | a richiesta | gradi(°) | |||
| Orientamento piano secondario | a richiesta | ||||
| Spessore pellicola spessore medio | 300-600 | nm | |||
| Ruvidità lato anteriore/faccia | Lucidato in ottica | ||||
| Strato di isolamento | Spessore medio dell'ossido sepolto | 4600 | 4700 | 4800 | nm |
| Uniformità dello spessore dell'ossido sepolto | -5 | 0 | 5 | % | |
| Supporto substrato | Materiale | SI/LN/ZAFFIRO/QUARZO/ECC. | |||
| Diametro | 3" | 4" | 6" | 8" | |
| Spessore totale dello strato di supporto | 525 | 525 | 625 | 725 | |
| Metodo di crescita del dispositivo | CZ | CZ | ZVD | idrotermale | |
| Orientamento del dispositivo | {100} | 0.5 | gradi(°) | ||
| Tipo di drogaggio del dispositivo | N | N | |||
| Drogante del dispositivo | Phos | ||||
| Finitura della superficie | 10 | nm | |||
L'obiettivo primario di CQT è "essere un fornitore affidabile di substrati di microelettronica primari nel mondo di oggi". L'intera organizzazione, a partire dalla direzione principale, ha lavorato in modo coerente per raggiungere questo obiettivo.
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