Fotodiodo InGaAs a banda larga con basso rumore per RRU

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Dettagli prodotti

Informazioni di Base.

Model No.
Broadband InGaAs Photo-diode
Pacchetto di Trasporto
Box
Specifiche
Small
Marchio
ZG
Origine
Mianyang, China

Descrizione del Prodotto

Il fotodiodo InGaAs a banda larga è costituito da un chip fotodiodo e da un circuito di base, con la potenza ottica di saturazione può raggiungere 10 dBm, miniaturizzato e in grado di sostituire EM169, uscita porta RF SMA standard.

Caratteristiche
Banda larga
Bassa rumorosità
Applicazioni
RRU
Monitoraggio e controllo telemetrico
Sistema radar

Parametro nominale massimo assoluto
Parametro Simbolo Condizione Min Max Unità
Tensione di esercizio VPD - 3 9 V
Temperatura di conservazione TS - -55 85 ºC
Temperatura di esercizio Da a. - -40 70 ºC
Potenza ottica massima ricevuta PERNO - - 10 DBm

Parametri
Parametro Simbolo Condizione Min. Tip. Max. Unità
Potenza ottica di saturazione PS - - 10 - DBm
La larghezza di banda di modulazione BW - 0.1 20 - GHz
Planarità dell'ampiezza AF - - 2 - DB
Responsività Re - - 0.85 - UA
Lunghezza d'onda λ - 1260 1310/1550 1625 nm
Impedenza di uscita ROUT - - 50 - Ω
Interfaccia ottica PC FC/A (personalizzabile)
Tipo di fibra Fibra monomodale standard, diametro 0,9 mm, lunghezza 1 m.
Interfaccia a radiofrequenza (RFI) SMA
Dimensioni 17,78 mm*12,7 mm*8,9 mm

Broadband Ingaas Photo-Diode with Low Noise for Rru

Informazioni per l'ordinazione
ZG Lunghezza d'onda Potenza di saturazione Larghezza di banda Connettore
13=1310 nm 10=10 dbm 20=20 GHZ FC/APC
15=1550 nm     X
Broadband Ingaas Photo-Diode with Low Noise for Rru
Broadband Ingaas Photo-Diode with Low Noise for Rru
Broadband Ingaas Photo-Diode with Low Noise for Rru Broadband Ingaas Photo-Diode with Low Noise for Rru

 

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